防爆电器在GTO的基础卜-,近年开发出一种门极换流晶闸管(GCT),它采用了一些新技术,如穿透型阳极,使电荷存储时间和拖尾电流减小,制约了二次击穿,可无缓冲器运行;GCT的N缓冲层,使硅片厚度以及通态损耗和开关损耗减少;GCT的特殊的环状门极,使GCT开通时间缩短且串、并联容易。因此,GCT除有GTO高电压、大电流、低导通压降的优点,又改善了其开通和关断性能,使工作频率有所提高。
防爆电器绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种复合型全控器件,具有MOSFET(输入阻抗高、开关速度快)和GTR(耐压高、电流密度大)二者的优点。栅极为电压控制,驱动功率卧;开关损耗小,工作频率高;没有二次击穿,不需缓冲电路;是目前中等功率电力电子置中的主流器件。除低压1GBT(1 700V/1 200A)外,已开发tti高压IGBT,可达13.3kV/1.2kA或4.5kV/0.9kA的水平。IGBT的不足之处是;高压IGBT内阻大,因而酪通损耗大;防爆电器低压IGB7F应用于高压电路需多个串联。表1-2为GTO、IGCT、IGBT的一些技术参数的比较。由表1 2可以得出,在lkHz以下,IGCT有一定优点;在较高工脚频率下,高压IGBT更具优势。